Forschungsbau
Technologie im Forschungsbau

TECHNOLOGIE IM FORSCHUNGSBAU

FOTOLITHOGRAFIE FÜR SILIZIUM UND GERMANIUM

  • Der Reinraum ist nach ISO5 / Reinraumklasse 100 im Handlingbereich und ISO6 / Reinraumklasse 1000 in den Fluren zertifiziert.
  • UV Kontakt- und Proximity-Belichter für runde Wafer (Silizium und Germanium) bis 100 mm Durchmesser. Maskengröße 150*150 mm2 quadratisch, minimale Linienbreite 900 nm (SÜSS MA 150)
  • UV Handbelichter für Bruchstücke und kleine Wafer
  • Lackschleuder mit Heizplatte für runde Wafer bis 200 mm Durchmesser. Ausheizen bis 200°C (SÜSS DELTA 80/8)
  • Trockenofen zur Bedampfung von Haftvermittlern
  • Nassbänke für die Entwicklung und die Lackentfernung im Ultraschall
  • Kühlschränke für Lackchemie
  • Plasma-Asher für runde Wafer bis 100 mm Durchmesser, zur Beseitigung von Fotolackresten im O2-Plasma (TEPLA 100)


FOTOLITHOGRAFIE FÜR ALLE ANDEREN MATERIALIEN

  • Der Reinraum ist nach ISO5 / Reinraumklasse 100 im Handlingbereich und ISO6 / Reinraumklasse 1000 in den Fluren zertifiziert.
  • UV Kontakt- und Proximity-Belichter für runde Wafer (Verbindungshalbleiter) bis 100 mm Durchmesser. Maskengröße 150*150 mm^2 quadratisch, minimale Linienbreite 700 nm (SÜSS MA6)
  • Lackschleuder mit Heizplatte für runde Wafer bis 100 mm Durchmesser. Ausheizen bis 200°C
  • Nassbänke für die Entwicklung und die Lackentfernung

ELEKTRONENSTRAHLLITHOGRAFIE

  • Jeol JSM-5900 REM
  • E-Beam schreiben mit Raith Elphy plus
  • REM Auflösungsgrenze ~10 nm
  • Interferometrisch gesteuerter Verschiebetisch für Wafer


VERTIKALOFENSYSTEM

Vertikalofensystem für die Nass- und Trockenoxidation von Silizium bis 150 mm Durchmesser, bis 1100 °C (CENTROTHERM VERTICOO 200)

Vertikalofensystem Verticoo 200 von Centrotherm, Oxidationsrohr, vertikal, Oxidation trocken und feucht, Feuchtoxidation mit Steamer (Wasserdampf aus DI-Wasser) oder Hydrox-Brenner (Wasserdampf aus H2 und O2 verbrannt). Scheibengröße 150 mm und 200 mm, mit Adaptern auch 100 mm und „Stückchen“, Vollhandlingsystem, aber auch manuell bedienbar. Alle Oxidationsrohre haben einen DCE-Bubbler eingebaut.

HORIZONTAL-CLUSTERSYSTEM

Horizontal-Clustersystem für Silizium bis 200 mm Durchmesser, auch Solar: (CENTROTHERM EUROPA 2000)

  • Oben: SiC-Rohr bis 1285 °C, Oxidation trocken und feucht, Feuchtoxidation mit Steamer (Wasserdampf aus DI-Wasser) oder Hydrox-Brenner (Wasserdampf aus H2 und O2 verbrannt).
  • Darunter: Polysilizium-Rohr, dotiert und undotiert, amorph und polykristallin, n und p mittels Phosphin und Diboran sowie mit Sauerstoff dotiert als SIPOS.
  • Darunter: Nitrid-Rohr, stöchiometrisch (Si3N4) und Si-reiches Nitrid mit niedrigen Verspannungen d.h. „low-stress-nitride“ herstellbar (kompressiver und tensiler Schichtstress). 
  • Darunter: LPCVD-TEOS-Rohr, Tieftemperatur-Oxide, mit Plasma-Unterstützung, Temperaturen ab 450 °C.

Alle Rohre für 200 mm ausgelegt, Einsatzboote für rechteckige Solarwafer, runde 150 mm und 100 mm sowie 2“ und 3“ vorhanden. Alle Oxidationsrohre haben einen DCE-Bubbler eingebaut, um eine hochtemperatur-Reinigung mit Chlor zu ermöglichen. Damit erreicht man eine gute Metallionenfreiheit. 


POLYIMID-OFEN

Bis 100 mm Durchmesser, Tempern unter Ar, N2 oder im Feinvakuum, bis 950 °C, rezeptgesteuert.

PLASMA-CVD

Plasma-CVD für runde Wafer bis 100 mm Durchmesser, Herstellung von Oxiden, Nitriden, Poly und Germanium, Substrattemperatur bis 400 °C (OXFORD PLASMALAB 90)


KATHODENZERSTÄUBUNGSANLAGE

Kathodenzerstäubungsanlage für runde Wafer bis 200 mm Durchmesser, Gleich- und Wechselspannung, Co-Sputtern von zwei Targets möglich, Plasmaätzen, Magnetron-Anlage (LEYBOLD Z590)

AUFDAMPFANLAGE

Aufdampfanlage für Runde Wafer bis 100 mm Durchmesser, 4-fach Tiegel und Einzeltiegel, Co-Verdampfen (BALZERS BAK 610)


SCHNELLHEIZÖFEN

Schnellheizöfen bei Normaldruck, für runde Wafer bis 150 mm Durchmesser, auch Solar, Temperung bis 1100 °C unter Ar, O2, N2 oder N2H2. (AST SHS 2000 und Eigenbau)

IONENIMPLANTER

Ionenimplanter für runde Wafer bis 300 mm Durchmesser, auch Solar, As, P, B, 5-60 keV (VARIAN VIISta HC)


NASSBÄNKE

Nassbänke für die nasschemische Strukturierung und Reinigung von runden Wafern bis 200 mm Durchmesser (auch Solar)

  • RCA-Reinigung (SC1, SC2, HF-Dip)
  • Quick-Dump-Rinser
  • Spin-Rinser-Dryer
  • Nasschemische Ätzprozesse allgemein

REAKTIVES IONENÄTZEN (RIE)

Reaktives Ionenätzen für runde Wafer bis 100 mm Durchmesser, Ätzen unter Ar, O2, SF6 und CHF3 (ALCATEL RIE)


KONFOKALMIKROSKOP

Konfokalmikroskop mit Mirau Interferometer, bis 1500-fache Vergrößerung, Höhenauflösung bis 1 nm (LEICA DCM 3D)

SPEKTRALES ELLIPSOMETER

Spektrales Ellipsometer für runde Wafer bis 200 mm Durchmesser (auch Solar), 250-800 nm Wellenlänge, Stage für automatisiertes Mapping der Oberfläche (SENTECH SE 800)


WAFER-PROBE STATION

Wafer-Probe Station für runde Wafer bis 200 mm Durchmesser (auch Solar), -65 °C bis +200 °C Probentemperatur, digitales Kamerasystem, 4 Messnadeln (CASCADE SUMMIT 11000). Mit Impedance Analyzer (Agilent 4294A) und Semiconductor Parameter Analyzer (HP 4155). 

VIERSPITZENMESSPLATZ

Vierspitzenmessplatz zur Messung des Schichtwiderstandes eines Wafers (max. 200 mm Durchmesser, alle Formen) nach dem Messprinzip der Vier-Spitzen-Messung. Es kann per Hand an ausgewählten Punkten auf dem Wafer, oder automatisiert nach einem festgelegten Muster und Abstand gemessen werden.


TRANSMISSIONSELEKTRONENMIKROSKOP (TEM)

Das TEM im LNQE hat eine Beschleunigungsspannung von 200 kV und als Elektronenemitter eine Feldeffektkathode. Wichtigste Paramater sind:

  • Gerätetyp: TEM Tecnai G2 F20 TMP von Fa. FEI
  • 200 kV Feldeffekt FEG
  • OBJECTIVE LENS TYPES: TWIN
  • Ölfreies Vakuum
  • TEM point resolution: 0,27 nm
  • Information limit: 0,14 nm (gemessen)
  • STEM resolution: 0,24 nm
  • 1 Hellfeld- und 2 Dunkelfeld-Detektoren +1 HAADF-Detektor
  • Tomografie +- 70°(evtl. bis zu +- 80°)

Mit diesem TEM sind alle klassischen Kontrastverfahren möglich: Hellfeld und Dunkelfeld, Beugungskontrast (einschließlich Weak-beam), parallele Beleuchtung bei alle Vergrößerungen (wichtig insbesondere bei der Untersuchung kristalliner Proben), TEM und STEM (scanning TEM). Dabei sind große Kippwinkel möglich. Eine Besonderheit des TEM im LNQE ist die Möglichkeit der Tomografie.

KONTAKT ZUR TECHNOLOGIE

Dr. Fritz Schulze-Wischeler
Geschäftsführung
Adresse
Schneiderberg 39
30167 Hannover
Gebäude
Raum
006
Dr. Fritz Schulze-Wischeler
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Schneiderberg 39
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Dipl.-Ing. Oliver Kerker
Adresse
Schneiderberg 39
30167 Hannover
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